• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    於不平衡-平衡轉換電路元件10之不平衡端子PUB與第1平衡端子PB1之間串聯有電感器LL1。電感器LL1之第1平衡端子PB1側係透過電容器CL1接地。於不平衡端子PUB與第2平衡端子PB2之間串聯有電容器CH1。於電感器LL1之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1之第2平衡端子PB2側之間連接有電感器LH1。於形成不平衡-平衡轉換電路元件10之積層體100內，電容器CH1係較其他電路元件要從構裝面分離而形成。
    公开号:TW201308747A
    申请号:TW101122185
    申请日:2012-06-21
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Akira Tanaka
    申请人:Murata Manufacturing Co；
    IPC主号:H03H7-00
    专利说明:
    不平衡-平衡轉換電路元件
    本發明關於以於積層基板形成集中常數型電路實現之不平衡-平衡轉換電路。
    目前，於較多之RF前端模組中，由天線接收到之訊號為不平衡型訊號，相對於此，於RF半導體IC中，由平衡型訊號來執行訊號處理。因此，需要具有將由天線所接收之不平衡型訊號轉換為平衡型訊號之不平衡-平衡轉換功能之電路。作為此種不平衡-平衡轉換電路，存在以下兩種類。一種係利用傳輸線路之間之耦合之商業型，另一種係於專利文獻1亦記載之使用集中常數型低通濾波器(以下，稱為LPF)及高通濾波器(以下，稱為HPF)之集中常數型。
    此處，於商業型之情形時，為了獲得具有相位差之兩個輸出訊號，相對於主線路，形成由傳輸訊號(接收訊號)之波長之1/4長度所構成之副線路，從該副線路之兩端輸出各訊號，因此，較集中常數型更難以實現小型化。
    因此，為了實現小型之不平衡-平衡轉換電路元件，集中常數型為優先。圖1係習知之一般之集中常數型之不平衡-平衡轉換電路元件之電路圖。
    習知之不平衡-平衡轉換電路元件10P具備不平衡端子PUB、與由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之一對平衡端子。
    於不平衡端子PUB與第1平衡端子PB1之間串聯有電感器LL1p。電感器LL1p之第1平衡端子PB1側係透過電容器CL1p接地。該等藉由串聯之電感器LL1p與並聯之電容器CL1p構成LPF。
    於不平衡端子PUB與第2平衡端子PB2之間串聯有電容器CH1p。電容器CH1p之第2平衡端子PB2側係透過電感器LH1p接地。該等藉由上述串聯之電容器CH1p與並聯之電感器LH1p構成HPF。
    先行技術文獻
    專利文獻
    專利文獻1：日本特開2005-166702號公報
    然而，如圖1所示習知之不平衡-平衡轉換電路元件10P中，於與RF半導體IC進行連接之情形時，難以對阻抗之相位成分進行匹配。因此，習知之RF前端模組需要具有圖2所示之電路構成。圖2係習知之RF前端模組之電路構成圖。如圖2所示，習知之RF前端模組具備上述之不平衡-平衡轉換電路元件10P、天線800、匹配電路802、RF半導體IC803。於不平衡-平衡轉換電路元件10P之不平衡端子PUB連接有天線800。不平衡-平衡轉換電路元件10P由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子透過匹配電路802與RF半導體IC803連接。
    匹配電路802具備：相對於第1平衡端子PB1串聯之電感器及並聯之電容器、相對於第2平衡端子PB2串聯之電感器及並聯之電容器。
    因此，不平衡-平衡轉換電路元件10P為集中常數型，亦可小型化，由於進一步需要匹配電路802，因此，阻礙作為RF前端模組之小型化。又，藉由匹配電路802取得不平衡-平衡轉換電路元件10P與RF半導體IC803之間之匹配，但作為RF前端模組之插入損耗僅需要匹配電路802而些微地降低。
    因此，本發明之目的在於提供一種不平衡-平衡轉換電路，即便於匹配時需要調整輸入阻抗之相位成分之元件進行連接之情形時，亦不必另外設置匹配電路，而容易小型化，可低損耗地傳輸訊號。
    本發明關於一種不平衡-平衡轉換電路元件，具備：輸入輸出不平衡訊號之不平衡端子、由輸入輸出平衡訊號之第1平衡端子及第2平衡端子所構成之一對平衡端子；還具備第1電感器、第1電容器、及阻抗調整元件。第1電感器係串聯於不平衡端子與第1平衡端子之間。第1電容器係串聯於不平衡端子與第2平衡端子之間。阻抗調整元件係由連接於第1電感器之第1平衡端子側、與第1電容器之第2平衡端子側之間之電感器或電容器所構成。
    於該構成中，藉由具備與包含第1電感器之第1平衡端子側之電路、與包含第1電容器之第2平衡端子側之電路均進行連接之阻抗調整元件，可使第1平衡端子側之電路與第2平衡端子側之電路同時以相同之相位量進行旋轉。藉此，可藉由阻抗調整元件之元件值調整由第1平衡端子與第2平衡端子所構成之平衡端子之輸出阻抗之相位成分。此時，不需要使用太多電路元件，只要使用單體之電感器或電容器作為阻抗調整元件，就可獲得足夠之相位旋轉量，而可擴大取得之相位範圍。
    又，本發明之不平衡-平衡轉換電路元件，較佳為以下之構成。不平衡-平衡轉換電路元件係由複數個電介質層進行積層而成之積層體。第1電感器、第1電容器、以及阻抗調整元件係藉由形成於積層體之複數個電介質層之電極圖案所形成。第1電感器及阻抗調整元件係配置於第1電容器與積層體之構裝面之間。換言之，第1電容器沿著積層方向配置於積層體之構裝面之相反側而挾著第1電感器及阻抗調整元件之形成區域。
    於該構成中，未接地之第1電容器遠離構裝面進行配置，因此，於積層體內，通常形成於該構裝面或於其接近層之接地電極、與構成第1電容器之相對向電極之間可形成較大之距離。藉此，可抑制接地電極與第1電容器之間產生之寄生電容，因而可改善插入損耗。
    又，本發明之不平衡-平衡轉換電路元件，較佳為以下構成。該不平衡-平衡轉換電路元件係具備直流成分去除用電容器，該直流成分去除用電容器串聯於第1電感器與第1電容器之連接點與不平衡端子之間。直流成分去除用電容器係由形成於複數個電介質層之電極圖案所形成。第1電感器及阻抗調整元件配置於直流成分去除用電容器與積層體之構裝面之間。換言之，直流成分去除用電容器沿著積層方向配置於積層體之構裝面之相反側而挾著第1電感器及阻抗調整元件之形成區域。
    於該構成中，亦可抑制與不平衡端子串聯之未直接接地之直流成分去除用電容器之寄生電容。藉此，即便具備直流成分去除用電容器之構成，亦可改善插入損耗。
    又，於本發明之不平衡-平衡轉換電路元件中，較佳為，具備施加直流電壓之直流電壓施加端子；該直流電壓施加端子與第1電感器及第1電容器連接。
    於該構成中，可將直流成分供給至由第1平衡端子及第2平衡端子所構成之一對平衡端子。即，可將直流電壓供給至後段之RF半導體IC。
    又，本發明之不平衡-平衡轉換電路元件，較佳為以下構成。該不平衡-平衡轉換電路元件具備將第1平衡端子或第2平衡端子接地之濾波器特性調整元件。此時，若阻抗調整元件為電感器，則濾波器特性調整元件由將第1平衡端子接地之電容器所構成。若阻抗調整元件為電容器，則濾波器特性調整元件由將第2平衡端子接地之電感器所構成。
    於該構成中，藉由具備濾波器特性調整元件，不僅可以容易且簡單的構成適當地調整阻抗，亦可調整不平衡-平衡轉換電路元件之濾波器特性。
    又，於本發明之不平衡-平衡轉換電路元件中，較佳為，具備第2電容器，該第2電容器將在第1電感器之該第1電感器與第1電容器之連接點側端部接地。
    於該構成中，藉由將第2電容器連接於不平衡端子與接地之間，而可降低中心頻率。即，維持阻抗特性或平衡特性之同時，可使所傳送之訊號之頻率向低頻側變換。
    根據本發明，可以低損耗地傳送RF訊號之不平衡-平衡轉換電路實現小型化。
    參照附圖對本發明之第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件進行說明。圖3係第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之電路圖。
    不平衡-平衡轉換電路元件10具備不平衡端子PUB、與由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子。
    於不平衡端子PUB與第1平衡端子PB1之間串聯有電感器LL1。該電感器LL1相當於本發明之第1電感器。又，電感器LL1之第1平衡端子PB1側係透過電容器CL1接地。該電容器CL1相當於本發明之濾波器特性調整元件。藉由該等電感器LL1及電容器CL1構成低通濾波器(LPF)。
    於不平衡端子PUB與第2平衡端子PB2之間串聯有電容器CH1。該電容器CH1相當於本發明之第1電容器。高通濾波器(HPF)主要由該電容器CH1構成。
    從不平衡端子PUB輸入並通過電感器LL1之訊號係藉由電感器LL1使相位提前，並從第1平衡端子PB1輸出。同時，從不平衡端子PUB輸入並通過電容器CH1之訊號係藉由電容器CH1使相位延遅，並從第2平衡端子PB2輸出。藉此，從第1平衡端子PB1輸出之訊號之相位、與從第2平衡端子PB2輸出之訊號之相位具有180°之相位差。因此，從不平衡端子PUB輸入之不平衡型訊號係從由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子作為平衡型訊號輸出，不平衡-平衡轉換電路元件10係作為不平衡-平衡轉換電路之作用。
    於電感器LL1之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1之第2平衡端子PB2側之間連接有電感器LH1。該電感器LH1相當於本發明之阻抗調整元件。
    於此電路構成之不平衡-平衡轉換電路元件10中，用於將圖3所示之電感器LH1假設為接地，可如圖4所示以等效電路來顯示。圖4係第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之等效電路圖。
    如圖4所示，連接於電感器LL1之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1之第2平衡端子PB2側之間之電感器LH1，係於等效電路上等同於，上述電感器LL1之第1平衡端子PB1側接地之電感器LH1’、與將電容器CH1之第2平衡端子PB2側接地之電感器LH1”透過接地進行串聯。而且，電感器LH1’與電感器LH1”係電感相同。
    藉由此構成，可觀視為相同電感所構成之電感器與第1平衡端子PB1側之電路、與第2平衡端子PB2側之電路並聯。藉此，從第1平衡端子PB1觀視之不平衡端子PUB側之阻抗之相位、與從第2平衡端子PB2觀視之不平衡端子PUB側之阻抗之相位以相同之相位量進行旋轉。而且，該相位旋轉量係藉由電感器LL1之電感來決定。
    因此，藉由具備此電感器LH1，可使由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子之輸出阻抗之相位成分從零向負方向位移。此時，藉由適當地設定電感器LH1之電感，可適當地設定相位成分。
    藉此，即便將持有具有負之相位成分之輸入阻抗之RF半導體IC與該不平衡-平衡轉換電路元件10之平衡端子側進行連接，亦可以與RF半導體IC之輸入阻抗之相位成分匹配之方式設定不平衡-平衡轉換電路元件10之平衡端子之輸出阻抗之相位成分。
    圖5係顯示本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之各種特性之圖。圖5(A)係顯示平衡端子側之微分模式(differential mode)中之輸出阻抗之史密斯阻抗圖，圖5(B)係於微分模式之平衡輸出訊號之通過特性。圖5(C)係從兩個平衡端子之輸出訊號之振幅偏差，圖5(D)係從兩個平衡端子之輸出訊號之間之相位差。此外，圖5之模擬係假設作為通帶(passband)之2.4[GHz]頻帶中之RF半導體IC之輸入阻抗為50-j80[Ω]之情形時，對各電感器之電感及電容器之電容進行設定，使不平衡-平衡轉換電路元件10之平衡端子側之輸出阻抗為50+j80[Ω]。
    若使用本實施形態之構成，則如圖5(A)之標記m11所示，於2.4 GHz下，輸入阻抗大致為50+j80[Ω]，可以簡單之構成實現所欲之輸入阻抗。
    又，如圖5(B)之標記m1所示，於2.4 GHz之衰減量為1dB以下，可實現插入損耗低之特性。
    進而，如圖5(C)之標記m5所示，於2.4 GHz之兩個平衡端子處之訊號之振幅差大致為0[dB]，可實現機乎無振幅偏差之特性。
    進而，如圖5(D)之標記m7所示，於2.4 GHz之兩個平衡端子處之訊號之相位差大致為180°，可實現相位差為180°、即作為平衡端子之理想相位差。
    藉此，藉由使用本實施形態之構成，可以簡單之構成實現具有優異之傳輸特性及優異之平衡特性之不平衡-平衡轉換電路元件。
    此種電路構成之不平衡-平衡轉換電路元件10係藉由如圖6及圖7所示之積層體來實現。圖6係不平衡-平衡轉換電路元件10之外觀立體圖。圖7係不平衡-平衡轉換電路元件10之分解立體圖。
    如圖6所示，不平衡-平衡轉換電路元件10係由矩形形狀之積層體100所構成。於積層體100之第1側面(圖6之前表面)隔開即定距離形成有第1外部電極201與第2外部電極202。於相對向第1側面之積層體100之第2側面(圖6之後表面)以既定距離隔開形成有第3外部電極203與第4外部電極204。第1外部電極201與第4外部電極204相對向配置，第2外部電極202與第3外部電極203相對向配置。該等第1、第2、第3、第4外部電極201、202、203、204不僅形成於各形成面(側面)，亦延伸至積層體100之頂面(圖6之上表面)及底面(圖6之下表面)。積層體100係將底面作為構裝面，構裝至構裝有RF半導體IC等之外部電路基板。
    於本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10中，第1外部電極201係對應於不平衡端子PUB，第2外部電極202係對應於接地端子GND，第3外部電極203係對應於第1平衡端子PB1，第4外部電極204係對應於第2平衡端子PB2。
    如圖7所示，積層體100係將分別形成有即定之電極圖案之16層之電介質層進行積層而成。以下，將成為積層體100之頂面之最上層作為第1層，將成為積層體100之底面之最下層作為第16層來對電極圖案之構成進行說明。
    於第1層之電介質層101形成有第1外部電極201、第2外部電極202、第3外部電極203、以及第4外部電極204。第1外部電極201、第2外部電極202、第3外部電極203、以及第4外部電極204係從電介質層101之側面形成至頂面。
    此外，第1外部電極201、第2外部電極202、第3外部電極203、以及第4外部電極204係於電介質層102~116之各側面中亦形成向積層方向連接。
    於第2層之電介質層102、第3層之電介質層103、第4層之電介質層104中分別形成有板狀電極(plate electrode)221、231、241，板狀電極231與板狀電極221以及板狀電極241相對向，而構成電容器CH1。板狀電極221與板狀電極241被引出至第4外部電極204以進行連接。板狀電極231被引出至第1外部電極201以進行連接。
    於第5層之電介質層105、第6層之電介質層106、第7層之電介質層107、第8層之電介質層108、第9層之電介質層109、第10層之電介質層110分別形成有構成電感器LL1之線狀電極251、261、271、281、291、301。線狀電極251之一端與第1外部電極201連接。線狀電極301之一端與第3外部電極203連接。
    線狀電極251與線狀電極261係藉由通孔電極901連接至積層方向。線狀電極261與線狀電極271係藉由通孔電極902連接至積層方向。線狀電極271與線狀電極281係藉由通孔電極903連接至積層方向。線狀電極281與線狀電極291係藉由通孔電極905連接至積層方向。線狀電極291與線狀電極301係藉由通孔電極907連接至積層方向。
    於第7層之電介質層107、第8層之電介質層108、第9層之電介質層109、第10層之電介質層110、第11層之電介質層111、第12層之電介質層112分別形成有構成電感器LH1之線狀電極272、282、292、302、311、321。線狀電極272之一端與第4外部電極204連接。線狀電極321之一端與第3外部電極203連接。
    線狀電極272與線狀電極282係藉由通孔電極904連接於積層方向。線狀電極282與線狀電極292係藉由通孔電極906連接於積層方向。線狀電極292與線狀電極302係藉由通孔電極908連接於積層方向。線狀電極302與線狀電極311係藉由通孔電極909連接於積層方向。線狀電極311與線狀電極321係藉由通孔電極910連接於積層方向。
    於第13層之電介質層113、第14層之電介質層114、第15層之電介質層115分別形成有板狀電極331、341、351，板狀電極341、與板狀電極331及板狀電極351相對向，而構成電容器CL1。板狀電極331、351被引出至第2外部電極202以進行連接。該等板狀電極331、351係作為積層體100內之內層接地電極之作用。板狀電極341被引出至第3外部電極203以進行連接。
    於第16層之電介質層116形成有第1外部電極201、第2外部電極202、第3外部電極203、第4外部電極204。第1外部電極201、第2外部電極202、第3外部電極203、第4外部電極204係從電介質層116之側面形成至底面。
    藉由設定此構造，從積層體100之頂面側，依電容器CH1、電感器LL1、LH1、電容器CL1之順序形成構成不平衡-平衡轉換電路元件10之電路元件。而且，如上所述，該積層體100之內層接地電極成為接近積層體100之底面之電介質層113、115之板狀電極331、351。因此，於構成電容器CH1之板狀電極221、231、241、與板狀電極341及成為內層接地電極之板狀電極331、351之間介在有形成電感器LL1、LH1之電介質層，而可將構成電容器CH1之板狀電極221、231、241、與板狀電極341及成為內層接地電極之板狀電極331、351隔開。藉此，可抑制板狀電極221、231、241與板狀電極331、341、351之間產生寄生電容。
    圖8係顯示不將本申請構成之不平衡-平衡轉換電路元件10之插入損耗特性、與構成電容器CH1之板狀電極221、231、241與成為內層接地電極之板狀電極331、351進行隔開，而同時配置於積層體100之底面側之情形(Ref構成)時之插入損耗特性之圖。圖8係顯示作為通帶之2.4[GHz]附近之插入損耗，實線顯示本發明之插入損耗特性，虛線顯示Ref構成之插入損耗特性。如圖8所示，藉由使用本發明之構成，如上所述可抑制寄生電容之產生，改善插入損耗。
    此外，於上述之說明中，僅顯示一種輸入阻抗之情形時，但藉由對構成不平衡-平衡轉換電路元件10之各電路元件之各元件值進行適當的設定，可實現較寬範圍之相位成分。圖9係顯示輸出阻抗值與電感器LH1之元件值(電感)之關係之表。如圖9所示，藉由使用本實施形態之構成，僅改變電感器LH1之元件值(電感)，即可實現50±j0[Ω]以下之50-j120[Ω]為止之複數阻抗。因此，即便積層體之尺寸較小，亦可相對於上述相位成分實現較寬範圍之複數阻抗。換言之，可將相對於相位成分實現較寬範圍之複數阻抗之不平衡-平衡轉換電路元件10形成為小型。
    其次，參照附圖對第2實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件進行說明。圖10係第2實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10A之電路圖。
    不平衡-平衡轉換電路元件10A具備不平衡端子PUB、與由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子。
    於不平衡端子PUB與第1平衡端子PB1之間串聯有電感器LL1A。該電感器LL1A相當於本發明之第1電感器。低通濾波器(LPF)主要由該電感器LL1A構成。
    於不平衡端子PUB與第2平衡端子PB2之間串聯有電容器CH1A。該電容器CH1A相當於本發明之第1電容器。此外，電容器CH1A之第2平衡端子PB2側係透過電感器LH1A接地。該電感器LH1A相當於本發明之濾波器特性調整元件。由該等電容器CH1A、電感器LH1A構成高通濾波器(HPF)。
    於電感器LL1A之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1A之第2平衡端子PB2側之間連接有電容器CL1A。該電容器CL1A相當於本發明之阻抗調整元件。
    於此電路構成之不平衡-平衡轉換電路元件10A中，為了將電容器CL1A假設為接地，因此，連接於電感器LL1A之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1A之第2平衡端子PB2側之間之電容器CL1A係於等效電路上，將上述電感器LL1A之第1平衡端子PB1側接地之電容器CL1A’、與將電容器CH1A之第2平衡端子PB2側接地之電容器CL1A”透過接地進行串聯。而且，電容器CL1A’與電容器CL1A”係電容相同。
    藉由此構成，可觀視為相同電容之電容器與第1平衡端子PB1側之電路、與第2平衡端子PB2側之電路並聯。藉此，從第1平衡端子PB1觀視之不平衡端子PUB側之阻抗之相位、與從第2平衡端子PB2觀視之不平衡端子PUB側之阻抗之相位以相同之相位量進行旋轉。而且，該相位旋轉量係藉由電容器CL1A之電容來決定。又，相位旋轉方向與第1實施形態所示之構成相反。
    因此，藉由具備此種電容器CL1A，可使由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子之輸出阻抗之相位成分從零向正方向位移。此時，藉由適當地設定電容器CL1A之電容，可適當地設定相位成分。
    藉此，即便將持有具有正之相位成分之輸入阻抗之RF半導體IC與該不平衡-平衡轉換電路元件10A之平衡端子側進行連接，亦可以與RF半導體IC之輸入阻抗之相位成分匹配之方式設定不平衡-平衡轉換電路元件10A之平衡端子之輸出阻抗之相位成分。
    由上述電路構成之不平衡-平衡轉換電路元件10A係如圖11所示，藉由積層體100A來實現。圖11係不平衡-平衡轉換電路元件10A之分解立體圖。此外，不平衡-平衡轉換電路元件10A之外形形狀與第1實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10之構成要素相同，因此省略詳細之說明。其中，本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10A中，第1外部電極201A係對應於不平衡端子PUB，第2外部電極202A係對應於第2平衡端子PB2。於本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10A中，第3外部電極203A係對應於第1平衡端子PB1，第4外部電極204A係對應於接地端子GND。
    如圖11所示，積層體100A係將分別形成有既定之電極圖案之13層之電介質層進行積層而成。以下，將成為積層體100A之頂面之最上層作為第1層，將成為積層體100A之底面之最下層作為第13層來對電極圖案之構成進行說明。
    於第1層之電介質層101A形成有第1外部電極201A、第2外部電極202A、第3外部電極203A、以及第4外部電極204A。第1外部電極201A、第2外部電極202A、第3外部電極203A、以及第4外部電極204A係從電介質層101A之側面形成至頂面。
    此外，第1外部電極201A、第2外部電極202A、第3外部電極203A、以及第4外部電極204A係於電介質層102A~113A之各側面亦形成向積層方向延伸。
    於第2層之電介質層102A、第3層之電介質層103A、第4層之電介質層104A分別形成有板狀電極221A、231A、241A，板狀電極231A與板狀電極221A及板狀電極241A相對向，而構成電容器CH1A。板狀電極221A、241A被引出至第2外部電極202A以進行連接。板狀電極231A被引出至第1外部電極201A以進行連接。
    於第5層之電介質層105A、第6層之電介質層106A、第7層之電介質層107A、第8層之電介質層108A分別形成有構成電感器LL1A之線狀電極251A、261A、271A、281A。線狀電極251A之一端與第1外部電極201A連接。線狀電極281A係透過通孔電極904A及電介質層109A之板狀電極291A引出至第3外部電極203A以進行連接。
    線狀電極251A與線狀電極261A係藉由通孔電極901A連接於積層方向。線狀電極261A與線狀電極271A係藉由通孔電極902A連接於積層方向。線狀電極271A與線狀電極281A係藉由通孔電極903A連接於積層方向。
    於第8層之電介質層108A、第9層之電介質層109A、第10層之電介質層110A分別形成有構成電感器LH1A之線狀電極282A、292A、301A。線狀電極282A之一端與第4外部電極204A連接。線狀電極301A之一端與第2外部電極202A連接。
    線狀電極282A與線狀電極292A係藉由通孔電極905A連接於積層方向。線狀電極292A與線狀電極301A係藉由通孔電極906A連接於積層方向。
    於第11層之電介質層111A、第12層之電介質層112A、第13層之電介質層113A分別形成有板狀電極311A、321A、331A，板狀電極321A與板狀電極311A及板狀電極331A相對向，而構成電容器CL1A。板狀電極311A、331A被引出至第2外部電極202A以進行連接。該等板狀電極311A、331A係作為積層體100A內之內層接地電極之作用。板狀電極321A被引出至第3外部電極203A以進行連接。
    於第13層之電介質層113A形成有第1外部電極201A、第2外部電極202A、第3外部電極203A、第4外部電極204A。第1外部電極201A、第2外部電極202A、第3外部電極203A、第4外部電極204A係從電介質層113A之側面形成至底面。
    藉由此構造，從積層體100A之頂面側依電容器CH1A、電感器LL1A、LH1A、電容器CL1A之順序形成構成不平衡-平衡轉換電路元件10A之電路元件。而且，如上所述，該積層體100A之內層接地電極係成為接近積層體100A之底面之電介質層111A、113A之板狀電極311A、331A。因此，於構成電容器CH1A之板狀電極221A、231A、241A、與板狀電極321A及成為內層接地電極之板狀電極311A、331A之間介在有形成電感器LL1A、LH1A之電介質層，而可將構成電容器CH1A之板狀電極221A、231A、241A、與板狀電極321A及成為內層接地電極之板狀電極311A、331A隔開。藉此，可抑制板狀電極221A、231A、241A與板狀電極311A、321A、331A之間產生寄生電容。
    又，適當設定構成本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10A之各電路元件之各元件值，藉此，與第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10相同，可實現較寬範圍之相位成分。圖12係顯示輸出阻抗值與電容器CL1A之元件值(電容)之關係之表。如圖12所示，藉由使用本實施形態之構成，僅改變電容器CL1A之元件值(電容)，即可實現50±j0[Ω]以上之50+j120[Ω]為止之複數阻抗。因此，即便積層體之尺寸較小，亦可相對於上述相位成分實現較寬範圍之複數阻抗。換言之，可將相對於相位成分實現較寬範圍之複數阻抗之不平衡-平衡轉換電路元件10A形成為小型。
    而且，如上述之第1、2實施形態所示，若將電感器或電容器連接於第1平衡端子PB1側之LPF、與第2平衡端子PB2側之HPF之間，則可於小型之狀態實現從-j120[Ω]至+j120[Ω]之相位調整。圖13係顯示由第1、2實施形態所構成之不平衡-平衡轉換電路元件可取得阻抗值之範圍之概念之圖。
    如圖13所示，於圖1所示之習知構成中，可取得複數阻抗之相位成分之範圍極其狹窄，但藉由使用本發明之構成，於相位方向取得範圍可較習知構成大幅變寬。此外，圖13所示可取得之相位成分之範圍為一例，根據不平衡-平衡轉換電路元件之形狀或規格而發生變化，但至少可於既定範圍內容易地調整相位成分。此時，實現不平衡-平衡轉換電路元件之積層體之形狀機乎無變化，亦無大型化。
    因此，相對於RF半導體IC之複數阻抗之相位成分可於較寬範圍進行匹配，可實現小型之不平衡-平衡轉換電路元件。進一步，於不平衡-平衡轉換電路元件與RF半導體IC之間不需要另設匹配電路，因此，作為RF前端模組之形狀亦可小型化。
    其次，參照附圖對本發明之第3實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件進行說明。圖14係第3實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10B之電路圖。本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10B相對於第1實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10追加了直流電壓施加用接地端子PRFG，伴隨該直流電壓施加用接地端子PRFG之追加，進一步追加了複數個元件。因此，基本之不平衡-平衡轉換功能與第1實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10相同。因此，僅對電路構成及積層構成進行具體說明。
    不平衡-平衡轉換電路元件10B具備不平衡端子PUB、由第1平衡端子PB1與第2平衡端子PB2所構成之平衡端子、以及直流電壓施加用接地端子PRFG。
    於不平衡端子PUB與第1平衡端子PB1之間串聯有電感器LL1B。該電感器LL1B相當於本發明之第1電感器。又，電感器LL1B之第1平衡端子PB1側係透過電容器CL1B與直流電壓施加用接地端子PRFG連接。
    於不平衡端子PUB與第2平衡端子PB2之間串聯有電容器CH1B。該電容器CH1B相當於本發明之第1電容器。又，電容器CH1B之電感器LL1B連接側係透過電感器LH2B與直流電壓施加用接地端子PRFG連接。
    於電感器LL1B之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1B之第2平衡端子PB2側之間連接有電感器LH1B。該電感器LH1B相當於本發明之阻抗調整元件。
    電感器LL1B與電容器CH1B之連接點、與不平衡端子PUB之間連接有直流成分去除用電容器Cin。
    此種電路構成之不平衡-平衡轉換電路元件10B係藉由如圖15所示之積層體100B來實現。圖15係不平衡-平衡轉換電路元件10B之分解立體圖。此外，不平衡-平衡轉換電路元件10B之外形形狀與第1、2實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10、10A之構成要素相同，因此省略詳細之說明。其中，於本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10B中，第1外部電極201B對應於不平衡端子PUB，第2外部電極202B對應於第1平衡端子PB1。於本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10B中，第3外部電極203B對應於第2平衡端子PB2，第4外部電極204B對應於直流電壓施加用接地端子PRFG。
    如圖15所示，積層體100B係將分別形成有既定之電極圖案之21層之電介質層進行積層而成。以下，將成為積層體100B之頂面之最上層作為第1層，將成為積層體100B之底面之最下層作為第21層來對電極圖案之構成進行說明。
    於第1層之電介質層101B形成有第1外部電極201B、第2外部電極202B、第3外部電極203B、以及第4外部電極204B。第1外部電極201B、第2外部電極202B、第3外部電極203B、以及第4外部電極204B係從電介質層101B之側面形成至頂面。
    此外，第1外部電極201B、第2外部電極202B、第3外部電極203B、以及第4外部電極204B於電介質層102B~121B之各側面亦形成向積層方向延伸。
    於第2層之電介質層102B、第3層之電介質層103B、第4層之電介質層104B、第5層之電介質層105B分別形成有板狀電極221B、231B、241B、251B，板狀電極221B、241B與板狀電極231B、251B相對向，而構成直流成分去除用電容器Cin。板狀電極221B、241B被引出至第1外部電極201B以進行連接。板狀電極231B係透過通孔電極901B與板狀電極251B連接。板狀電極251B係透過通孔電極902B、形成於電介質層107B之連接電極271B、以及通孔電極903B與電介質層108B之線狀電極282B連接。
    於第6層之電介質層106B形成有構成電容器CH1B之一部分之板狀電極261B。板狀電極261B與形成於第5層之電介質層之板狀電極251B相對向，而構成CH1B。板狀電極261B被引出至第3外部電極203B以進行連接。
    於第8層之電介質層108B、第9層之電介質層109B、第10層之電介質層110B、第11層之電介質層111B、第12層之電介質層112B、第13層之電介質層113B分別形成有構成電感器LH2B之線狀電極282B、292B、302B、312B、322B、332B。線狀電極282B之一端係透過通孔電極903B、電介質層107B之連接電極271B、及通孔電極902B與板狀電極251B連接，且與處於同一層之作為電感器LL1B之構成要素之線狀電極281B連接。線狀電極332B之一端與第4外部電極204B連接。
    線狀電極282B之另一端與線狀電極292B係藉由通孔電極905B連接於積層方向。線狀電極292B與線狀電極302B係藉由通孔電極907B連接於積層方向。線狀電極302B與線狀電極312B係藉由通孔電極909B連接於積層方向。線狀電極312B與線狀電極322B係藉由通孔電極911B連接於積層方向。線狀電極322B與線狀電極332B係藉由通孔電極913B連接於積層方向。
    於第8層之電介質層108B、第9層之電介質層109B、第10層之電介質層110B、第11層之電介質層111B、第12層之電介質層112B、第13層之電介質層113B、第14層之電介質層114B、第15層之電介質層115B分別形成有構成電感器LL1B之線狀電極281B、291B、301B、311B、321B、331B、341B、351B。線狀電極281B之一端與處於同一層之作為電感器LH2B之構成要素之線狀電極282B連接。線狀電極351B之一端與第2外部電極202B連接。
    線狀電極281B之另一端與線狀電極291B係藉由通孔電極904B連接於積層方向。線狀電極291B與線狀電極301B係藉由通孔電極906B連接於積層方向。線狀電極301B與線狀電極311B係藉由通孔電極908B連接於積層方向。線狀電極311B與線狀電極321B係藉由通孔電極910B連接於積層方向。線狀電極321B與線狀電極331B係藉由通孔電極912B連接於積層方向。線狀電極331B與線狀電極341B係藉由通孔電極914B連接於積層方向。線狀電極341B與線狀電極351B係藉由通孔電極915B連接於積層方向。
    於第16層之電介質層116B、第17層之電介質層117B、第18層之電介質層118B、第19層之電介質層119B分別形成有構成電感器LH1B之線狀電極361B、371B、381B、391B。線狀電極361B之一端與第3外部電極203B連接。線狀電極391B之一端與第2外部電極202B連接。
    線狀電極361B之另一端與線狀電極371B係藉由通孔電極916B連接於積層方向。線狀電極371B與線狀電極381B係藉由通孔電極917B連接於積層方向。線狀電極381B與線狀電極391B係藉由通孔電極918B連接於積層方向。
    於第20層之電介質層120B、第21層之電介質層121B分別形成有板狀電極401B、411B，藉由使板狀電極401B、411B相對向，而構成電容器CL1B。板狀電極401B被引出至第2外部電極202B以進行連接。板狀電極411B被引出至第4外部電極204B以進行連接。板狀電極411B作為積層體100B內之內層接地電極之作用。
    於第21層之電介質層121B形成有第1外部電極201B、第2外部電極202B、第3外部電極203B、第4外部電極204B。第1外部電極201B、第2外部電極202B、第3外部電極203B、第4外部電極204B係從電介質層121B之側面形成至底面。
    藉由此構造，從積層體100B之頂面側依電容器Cin、CH1B、電感器LL1B、LH2B、LH1B、電容器CL1B之順序形成構成不平衡-平衡轉換電路元件10B之電路元件。而且，如上所述，該積層體100B之內層接地電極成為積層體100B之最下層即電介質層121B之板狀電極411B。因此，於構成電容器Cin、CH1B之板狀電極221B、231B、241B、251B、261B、與板狀電極401B及成為內層接地電極之板狀電極411B之間介在有形成電感器LL1B、LH1B、LH2B之電介質層，而可將構成電容器Cin、CH1B之板狀電極221B、231B、241B、251B、261B、與板狀電極401B及成為內層接地電極之板狀電極411B隔開。藉此，可抑制板狀電極221B、231B、241B、251B、261B與板狀電極401B、411B之間產生寄生電容。
    藉此，相對於具有直流電壓施加功能之不平衡-平衡轉換電路元件10B亦可獲得與上述第1實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10相同之作用效果。
    其次，參照附圖對本發明之第4實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件進行說明。圖16係第4實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10C之電路圖。本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10C相對於第2實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10A追加了直流電壓施加用接地端子PRFG，伴隨該直流電壓施加用接地端子PRFG之追加，進一步追加了複數個元件。因此，基本之不平衡-平衡轉換功能與第2實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10A相同。因此，僅對電路構成及積層構成進行具體說明。
    不平衡-平衡轉換電路元件10C具備不平衡端子PUB、由第1平衡端子PB1及第2平衡端子PB2所構成之平衡端子、以及直流電壓施加用接地端子PRFG。
    於不平衡端子PUB與第1平衡端子PB1之間串聯有電感器LL1C。該電感器LL1C相當於本發明之第1電感器。電感器LL1C之第1平衡端子PB1側係透過電容器CL1C與電感器LH2C之串聯電路與直流電壓施加用接地端子PRFG連接。
    於不平衡端子PUB與第2平衡端子PB2之間串聯有電容器CH1C。該電容器CH1C相當於本發明之第1電容器。電容器CH1C之電感器LL1C連接側係透過電感器LH1C與直流電壓施加用接地端子PRFG連接。電容器CH1C之第2平衡端子PB2側係連接於電容器CL1C與電感器LH2C之連接點。
    藉此，於電感器LL1C之第1平衡端子PB1側、與電容器CH1C之第2平衡端子PB2側之間連接有電容器CL1C。該電容器CL1C相當於本發明之阻抗調整元件。
    於電感器LL1C與電容器CH1C之連接點與不平衡端子PUB之間連接有直流成分去除用電容器Cin。
    此電路構成之不平衡-平衡轉換電路元件10C係如圖17所示藉由積層體100C來實現。圖17係不平衡-平衡轉換電路元件10C之分解立體圖。此外，不平衡-平衡轉換電路元件10C之外形形狀與第1、2、3實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10、10A、10B之構成要素相同，因此省略詳細之說明。其中，於本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10C中，第1外部電極201C對應於不平衡端子PUB，第2外部電極202C對應於第2平衡端子PB2。於本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10C中，第3外部電極203C對應於第1平衡端子PB1，第4外部電極204C對應於直流電壓施加用接地端子PRFG。
    如圖17所示，積層體100C係將分別形成有既定之電極圖案之21層之電介質層進行積層而成。以下，將成為積層體100C之頂面之最上層作為第1層，將成為積層體100C之底面之最下層作為第21層來對電極圖案之構成進行說明。
    於第1層之電介質層101C形成有第1外部電極201C、第2外部電極202C、第3外部電極203C、以及第4外部電極204C。第1外部電極201C、第2外部電極202C、第3外部電極203C、以及第4外部電極204C係從電介質層101C之側面形成至頂面。
    此外，第1外部電極201C、第2外部電極202C、第3外部電極203C、以及第4外部電極204C於電介質層102C~121C之各側面亦形成向積層方向延伸。
    於第2層之電介質層102C、第3層之電介質層103C、第4層之電介質層104C、第5層之電介質層105C分別形成有板狀電極221C、231C、241C、251C，板狀電極221C、241C、與板狀電極231C、251C相對向，而構成直流成分去除用電容器Cin。板狀電極221C、241C被引出至第1外部電極201C以進行連接。板狀電極231C係透過通孔電極901C與板狀電極251C連接。板狀電極251C係透過通孔電極902C、電介質層107C之連接電極271C、以及通孔電極903C與電介質層108C之線狀電極281C連接。
    於第6層之電介質層106C形成有構成電容器CH1C之一部分之板狀電極261C。板狀電極261C與板狀電極251C相對向，而構成電容器CH1C。又，板狀電極261C被引出至第3外部電極203C以進行連接。
    於第8層之電介質層108C、第9層之電介質層109C、第10層之電介質層110C、第11層之電介質層111C、第12層之電介質層112C、第13層之電介質層113C分別形成有構成電感器LH1C之線狀電極281C、291C、301C、311C、321C、331C。線狀電極281C之一端係透過通孔電極903C、電介質層107C之連接電極271C、通孔電極902C與板狀電極251C連接，且與處於同一層之電感器LL1C之構成要素即線狀電極282C連接。線狀電極331C之一端與第4外部電極204C連接。
    線狀電極281C之另一端與線狀電極291C係藉由通孔電極904C連接於積層方向。線狀電極291C與線狀電極301C係藉由通孔電極906C連接於積層方向。線狀電極301C與線狀電極311C係藉由通孔電極908C連接於積層方向。線狀電極311C與線狀電極321C係藉由通孔電極910C連接於積層方向。線狀電極321C與線狀電極331C係藉由通孔電極912C連接於積層方向。
    於第8層之電介質層108C、第9層之電介質層109C、第10層之電介質層110C、第11層之電介質層111C、第12層之電介質層112C、第13層之電介質層113C、第14層之電介質層114C、第15層之電介質層115C分別形成有構成電感器LL1C之線狀電極282C、292C、302C、312C、322C、332C、341C、351C。線狀電極282C之一端與處於同一層之電感器LH1C之構成要素即線狀電極281C連接。線狀電極351C之一端與第2外部電極202C連接。
    線狀電極282C之另一端與線狀電極292C係藉由通孔電極905C連接於積層方向。線狀電極292C與線狀電極302C係藉由通孔電極907C連接於積層方向。線狀電極302C與線狀電極312C係藉由通孔電極909C連接於積層方向。線狀電極312C與線狀電極322C係藉由通孔電極911C連接於積層方向。線狀電極322C與線狀電極332C係藉由通孔電極913C連接於積層方向。線狀電極332C與線狀電極341C係藉由通孔電極914C連接於積層方向。線狀電極341C與線狀電極351C係藉由通孔電極915C連接於積層方向。
    於第16層之電介質層116C、第17層之電介質層117C、第18層之電介質層118C、第19層之電介質層119C分別形成有構成電感器LH2C之線狀電極361C、371C、381C、391C。線狀電極361C之一端與第3外部電極203C連接。線狀電極391C之一端與第4外部電極204C連接。
    線狀電極361C與線狀電極371C係藉由通孔電極916C連接於積層方向。線狀電極371C與線狀電極381C係藉通孔電極917C連接於積層方向。線狀電極381C與線狀電極391C係藉通孔電極918C連接於積層方向。
    於第20層之電介質層120C、第21層之電介質層121C分別形成有板狀電極401C、411C，藉由使板狀電極401C與411C相對向，而構成電容器CL1C。板狀電極401C被引出至第2外部電極202C以進行連接。板狀電極411C被引出至第3外部電極203C以進行連接。板狀電極401C作為積層體100C內之內層接地電極之作用。
    於第21層之電介質層121C形成有第1外部電極201C、第2外部電極202C、第3外部電極203C、第4外部電極204C。第1外部電極201C、第2外部電極202C、第3外部電極203C、第4外部電極204C係從電介質層121C之側面形成至底面。
    藉由此構成，從積層體100C之頂面側依電容器Cin、CH1C、電感器LH1C、LL1C、LH2C、電容器CL1C之順序形成構成不平衡-平衡轉換電路元件10C之電路元件。而且，如上所述，該積層體100C之內層接地電極成為積層體100C之底面附近之電介質層120C之板狀電極401C。因此，於構成電容器Cin、CH1C之板狀電極221C、231C、241C、251C、261C、與板狀電極411C及成為內層接地電極之板狀電極401C之間介在有形成電感器LH1C、LL1C、LH2C之電介質層，而可將構成電容器Cin、CH1C之板狀電極221C、231C、241C、251C、261C、與板狀電極411C及成為內層接地電極之板狀電極401C隔開。藉此，可抑制板狀電極221C、231C、241C、251C、261C與板狀電極401C、411C之間產生寄生電容。
    藉此，相對於具有直流電壓施加功能之不平衡-平衡轉換電路元件10C亦可獲得與上述第2實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10A相同之作用效果。
    其次，參照附圖對第5實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件進行說明。圖18係第5實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10D之電路圖。本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10D之電感器LL1D、LH1D、電容器CH1D、CL1D分別相當於第1實施形態所示之電感器LL1、LH1、電容器CH1、CL1。於不平衡-平衡轉換電路元件10D中，電感器LL1D之不平衡端子PUB側端部係透過電容器CL2D接地。藉由此構成，可獲得與上述第1實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10相同之作用效果，且可使LPF及HPF之通帶之中心頻率及通帶整體向低頻側位移。
    其次，參照附圖對第6實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件進行說明。圖19係第6實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10E之電路圖。本實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10E之電感器LL1E、LH1E、電容器CH1E、CL1E分別相當於第2實施形態所示之電感器LL1A、LH1A、電容器CH1A、CL1A。於不平衡-平衡轉換電路元件10E中，電感器LL1E之不平衡端子PUB側端部係透過電容器CL2E接地。藉由此構成，可獲得與上述第2實施形態所示之不平衡-平衡轉換電路元件10A相同之作用效果，且可使LPF及HPF之通帶之中心頻率及通帶整體向低頻側位移。
    10、10A、10B、10C、10D、10E、10P‧‧‧不平衡-平衡轉換電路元件
    100、100A、100B、100C‧‧‧積層體
    101-116、101A-113A、101B-212B、101C-121C‧‧‧電介質層
    201、201A、201B、201C‧‧‧第1外部電極
    202、202A、202B、202C‧‧‧第2外部電極
    203、203A、203B、203C‧‧‧第3外部電極
    204、204A、204B、204C‧‧‧第4外部電極
    221、231、241、331、341、351、221A、231A、241A、291A、311A、321A、331A、221B、231B、241B、251B、261B、401B、411B、221C、231C、241C、251C、261C、401C、411C‧‧‧板狀電極
    251、261、271、272、281、282、291、292、301、302、311、321、251A、261A、271A、281A、282A、292A、301A、281B、282B、291B、292B、301B、302B、311B、312B、321B、322B、331B、332B、341B、351B、361B、371B、381B、391B、281C、282C、291C、292C、301C、302C、311C、312C、321C、322C、331C、332C、341C、351C、361C、371C、381C、391C‧‧‧線狀電極
    271B、271C‧‧‧連接電極
    800‧‧‧天線
    802‧‧‧匹配電路
    803‧‧‧RF半導體IC
    901-910、901A-906A‧‧‧通孔電極
    PUB‧‧‧不平衡端子
    PB1‧‧‧第1平衡端子
    PB2‧‧‧第2平衡端子
    PRFG‧‧‧直流電壓施加用接地端子
    LL1、LH1、LL1A、LH1A、LL1B、LH1B、LH2B、LL1C、LH2C、LH1C、LL1D、LH1D、LL1E、LH1E、LL1p、LH1p‧‧‧電感器
    CL1、CH1、CL1A、CH1A、CL1B、CH1B、CL1C、CH1C、CL1D、CL2D、CH1D、CL1E、CL2E、CH1E、CL1p、CH1p‧‧‧電容器
    Cin‧‧‧直流成分去除用電容器
    圖1係習知之一般集中常數型之不平衡-平衡轉換電路元件10P之電路圖。
    圖2係習知之RF前端模組之電路構成圖。
    圖3係第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之電路圖。
    圖4係第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之等效電路圖。
    圖5係顯示第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之各種特性之圖。
    圖6係第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之外觀立體圖。
    圖7係第1實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10之分解立體圖。
    圖8係顯示本申請構成之不平衡-平衡轉換電路元件10之插入損耗特性、與將電容器CH1配置於積層體100之底面側之情形(Ref構成)時之插入損耗特性之圖。
    圖9係顯示輸出阻抗值與電感器LH1之元件值(電感)之關係之表。
    圖10係第2實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10A之電路圖。
    圖11係不平衡-平衡轉換電路元件10A之分解立體圖。
    圖12係顯示輸出阻抗值與電容器CL1A之元件值(電容)之關係之表。
    圖13係顯示由第1、第2實施形態所構成之不平衡-平衡轉換電路元件所可取得之阻抗值之範圍之概念之圖。
    圖14係第3實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10B之電路圖。
    圖15係不平衡-平衡轉換電路元件10B之分解立體圖。
    圖16係第4實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10C之電路圖。
    圖17係不平衡-平衡轉換電路元件10C之分解立體圖。
    圖18係第5實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10D之電路圖。
    圖19係第6實施形態之不平衡-平衡轉換電路元件10E之電路圖。
    10‧‧‧不平衡-平衡轉換電路元件
    CL1、CH1‧‧‧電容器
    LL1‧‧‧電感器
    PUB‧‧‧不平衡端子
    PB1‧‧‧第1平衡端子
    PB2‧‧‧第2平衡端子
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種不平衡-平衡轉換電路元件，具備輸入輸出不平衡訊號之不平衡端子、由輸入輸出平衡訊號之第1平衡端子及第2平衡端子所構成之一對平衡端子，其特徵在於，具備：第1電感器，串聯於上述不平衡端子與上述第1平衡端子之間；第1電容器，串聯於上述不平衡端子與上述第2平衡端子之間；以及阻抗調整元件，由連接於上述第1電感器之上述第1平衡端子側、與上述第1電容器之上述第2平衡端子側之間之電感器或電容器所構成。
    [2] 如申請專利範圍第1項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備將複數個電介質層進行積層而成之積層體；上述第1電感器、上述第1電容器、以及上述阻抗調整元件係藉由形成於上述積層體之上述複數個電介質層之電極圖案所形成；上述第1電感器及上述阻抗調整元件係配置於上述第1電容器與上述積層體之構裝面之間。
    [3] 如申請專利範圍第2項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備直流成分去除用電容器，該直流成分去除用電容器串聯於上述第1電感器與上述第1電容器之連接點、與上述不平衡端子之間；該直流成分去除用電容器係以形成於上述複數個電介質層之上述電極圖案所形成；上述第1電感器及上述阻抗調整元件係配置於上述直流成分去除用電容器與上述積層體之構裝面之間。
    [4] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備施加直流電壓之直流電壓施加端子；該直流電壓施加端子與上述第1電感器及上述第1電容器連接。
    [5] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備將上述第1平衡端子或上述第2平衡端子接地之濾波器特性調整元件；若上述阻抗調整元件為電感器，則上述濾波器特性調整元件由將上述第1平衡端子接地之電容器所構成；若上述阻抗調整元件為電容器，則上述濾波器特性調整元件由將上述第2平衡端子接地之電感器所構成。
    [6] 如申請專利範圍第4項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備將上述第1平衡端子或上述第2平衡端子接地之濾波器特性調整元件；若上述阻抗調整元件為電感器，則上述濾波器特性調整元件由將上述第1平衡端子接地之電容器所構成；若上述阻抗調整元件為電容器，則上述濾波器特性調整元件由將上述第2平衡端子接地之電感器所構成。
    [7] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備第2電容器，該第2電容器將在上述第1電感器之該第1電感器與上述第1電容器之連接點側之端部接地。
    [8] 如申請專利範圍第4項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備第2電容器，該第2電容器將在上述第1電感器之該第1電感器與上述第1電容器之連接點側之端部接地。
    [9] 如申請專利範圍第5項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備第2電容器，該第2電容器將在上述第1電感器之該第1電感器與上述第1電容器之連接點側之端部接地。
    [10] 如申請專利範圍第6項之不平衡-平衡轉換電路元件，其中，具備第2電容器，該第2電容器將在上述第1電感器之該第1電感器與上述第1電容器之連接點側之端部接地。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI505543B|2015-10-21|不平衡-平衡轉換電路元件
    US7102460B2|2006-09-05|Duplexer with extended functionality
    CN102035491B|2014-12-17|层叠带通滤波器
    US8482366B2|2013-07-09|Laminated balance filter
    US8072292B2|2011-12-06|High-frequency module
    JP5136532B2|2013-02-06|高周波スイッチモジュール
    DE112006001884B4|2018-09-27|Elektrisches Bauelement
    US9035717B2|2015-05-19|Balun transformer
    US9007145B2|2015-04-14|High-frequency signal balancing multiplexer
    US20140320374A1|2014-10-30|Multi bandwidth balun and circuit structure thereof
    TW201725592A|2017-07-16|平衡濾波器
    US9331658B2|2016-05-03|Filter circuit
    US8324981B2|2012-12-04|Composite balun
    JP4678572B2|2011-04-27|積層型バラントランス及びそれを用いた高周波スイッチモジュール
    US8456256B2|2013-06-04|Electronic component and passive component
    JP2002217036A|2002-08-02|高周波複合回路及び高周波複合部品
    US9166285B2|2015-10-20|High-frequency module
    JP4656514B2|2011-03-23|平衡−不平衡変換回路及びこれを用いた高周波部品
    TWM469629U|2014-01-01|低損耗微型雙工器
    JP2003087076A|2003-03-20|チップ状ｌｃ複合部品およびそれを用いた回路
    US7965989B2|2011-06-21|High frequency module
    JP2005244860A|2005-09-08|高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置
    JP2000082932A|2000-03-21|積層型分波器
    JP4285608B2|2009-06-24|バランスフィルタ
    WO2018198603A1|2018-11-01|積層バラン
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    TWI505543B|2015-10-21|
    US9059681B2|2015-06-16|
    US20130033336A1|2013-02-07|
    JP2013034041A|2013-02-14|
    CN102916670A|2013-02-06|
    CN102916670B|2015-09-02|
    JP5522130B2|2014-06-18|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US9391584B2|2014-04-07|2016-07-12|National Taiwan University Of Science And Technology|Balun device|DE69722692T2|1996-03-13|2004-04-22|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Vorrichtung mit einer passiven um 180 Grad phasenverschiebenden Kopplungsschaltung|
    FI103614B|1997-03-20|1999-07-30|Nokia Mobile Phones Ltd|Vaiheistus- ja balansointielin|
    FR2848721A1|2002-12-13|2004-06-18|St Microelectronics Sa|Transformateur a changement de mode selectif en frequences|
    JP4135928B2|2003-11-28|2008-08-20|Ｔｄｋ株式会社|バラン|
    JP4042860B2|2003-12-05|2008-02-06|太陽誘電株式会社|バラン|
    JP4775686B2|2004-02-24|2011-09-21|日立金属株式会社|積層ローパスフィルタ及びそれを用いた高周波スイッチモジュール|
    JP2007201666A|2006-01-25|2007-08-09|Matsushita Electric Ind Co Ltd|バランとこれを用いた電子機器|
    JP4255959B2|2006-05-22|2009-04-22|富士通メディアデバイス株式会社|バランスフィルタおよび分波器|
    JP4235918B2|2006-08-21|2009-03-11|ソニー株式会社|画像処理装置および画像処理方法|
    JP2009141929A|2007-11-16|2009-06-25|Tdk Corp|高周波電子部品|
    JP4591559B2|2008-06-20|2010-12-01|株式会社村田製作所|平衡不平衡変換器及び増幅回路モジュール|
    TWI414102B|2008-11-11|2013-11-01|Murata Manufacturing Co|Laminated balance filter|
    JP4871966B2|2009-01-30|2012-02-08|太陽誘電株式会社|高周波デバイス、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置|
    JP5590070B2|2012-05-17|2014-09-17|株式会社村田製作所|バランスフィルタ|US9306535B2|2013-02-28|2016-04-05|Avago Technologies General IpPte. Ltd.|Integrated receive filter including matched balun|
    WO2014155873A1|2013-03-29|2014-10-02|株式会社村田製作所|積層型コイル部品および整合回路|
    US9106204B2|2013-06-10|2015-08-11|Avago Technologies General IpPte. Ltd.|Four LC element balun|
    JP6511962B2|2015-05-28|2019-05-15|Tdk株式会社|積層型電子部品|
    JP6288472B2|2015-07-24|2018-03-07|株式会社村田製作所|平衡不平衡変換器|
    US10686240B2|2016-05-26|2020-06-16|Qorvo International Pte. Ltd.|Balun circuit arrangement|
    CN108134170B|2016-12-01|2021-02-19|国基电子（上海）有限公司|一种平衡非平衡转换器|
    CN108574471B|2017-03-14|2021-11-23|珠海全志科技股份有限公司|用于射频功率放大电路的全集成谐波滤波器|
    US20190190482A1|2017-12-18|2019-06-20|Silicon Laboratories Inc.|Radio-Frequency Apparatus with Multi-Band Balun and Associated Methods|
    US20190190149A1|2017-12-18|2019-06-20|Silicon Laboratories Inc.|Radio-Frequency Apparatus with Multi-Band Balun with Improved Performance and Associated Methods|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011167925A|JP5522130B2|2011-08-01|2011-08-01|不平衡−平衡変換回路素子|
    [返回顶部]